ASTM F76-08(2016)
Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos

Estándar No.
ASTM F76-08(2016)
Fecha de publicación
2008
Organización
American Society for Testing and Materials (ASTM)
Estado
Remplazado por
ASTM F76-08(2016)e1
Ultima versión
ASTM F76-08(2016)e1
Alcance
4.1 Para elegir el material adecuado para producir dispositivos semiconductores, es útil conocer las propiedades del material, como la resistividad, el coeficiente de Hall y la movilidad de Hall. Bajo ciertas condiciones, como se describe en el Apéndice, se pueden inferir otras cantidades útiles para la especificación de materiales, incluida la densidad del portador de carga y la movilidad de deriva. 1.1 Estos métodos de prueba cubren dos procedimientos para medir la resistividad y el coeficiente Hall de muestras de semiconductores monocristalinos. Estos métodos de prueba difieren más sustancialmente en los requisitos de sus muestras de prueba. 1.1.1 Método de prueba A, van der Pauw&# (1)8201;2&#—Este método de prueba requiere una muestra de prueba conectada individualmente (sin orificios aislados), de espesor homogéneo , pero de forma arbitraria. Los contactos deben ser suficientemente pequeños y estar ubicados en la periferia de la muestra. La medición se interpreta más fácilmente para un semiconductor isotrópico cuya conducción está dominada por un único tipo de portador. 1.1.2 Método de prueba B, tipo paralelepípedo o puente—Este método de prueba requiere una muestra homogénea en espesor y de forma especificada. Los requisitos de contacto se especifican tanto para la geometría de paralelepípedo como de puente. Estas geometrías de probetas son deseables para semiconductores anisotrópicos cuyos parámetros medidos dependen de la dirección del flujo de corriente. El método de prueba también se interpreta más fácilmente cuando la conducción está dominada por un solo tipo de portador. 1.2 Estos métodos de prueba no proporcionan procedimientos para dar forma, limpiar o contactar muestras; sin embargo, se proporciona un procedimiento para verificar la calidad del contacto. Nota 1: La práctica F418 cubre la preparación de muestras de fosfuro de arseniuro de galio. 1.3 El método de la Práctica F418 no proporciona una interpretación de los resultados en términos de propiedades básicas de los semiconductores (por ejemplo, movilidades y densidades de los portadores mayoritarios y minoritarios). En el Apéndice se proporciona alguna orientación general, aplicable a ciertos semiconductores y rangos de temperatura. Sin embargo, en su mayor parte la interpretación queda en manos del usuario. 1.4 Las pruebas entre laboratorios de 8201;estos métodos de prueba (Sección 19) se han realizado solo en un rango limitado de resistividades y para los semiconductores, germanio, silicio y arseniuro de galio. Sin embargo, el método es aplicable a otros semiconductores siempre que se conozcan la preparación de muestras y los procedimientos de contacto adecuados. El rango de resistividad sobre el cual es aplicable el método está limitado por la geometría de la muestra de prueba y la sensibilidad de la instrumentación.

ASTM F76-08(2016) Historia

  • 2016 ASTM F76-08(2016)e1 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
  • 2008 ASTM F76-08(2016) Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
  • 2008 ASTM F76-08 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
  • 1986 ASTM F76-86(2002) Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos
  • 1986 ASTM F76-86(1996)e1 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos



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