MIL MIL-PRF-19500/476G-2018 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV
MIL-PRF-19500/476G cubre los requisitos de rendimiento para transistores de efecto de campo de silicio, unión y canal P. Se proporcionan tres niveles de garantía de producto para cada tipo de dispositivo, según lo especificado en MIL-PRF-19500.
MIL MIL-PRF-19500/476G-2018 Historia
2018MIL MIL-PRF-19500/476G-2018 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV
2013MIL MIL-PRF-19500/476F-2013 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV
2012MIL MIL-PRF-19500/476E-2012 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV
2007MIL MIL-PRF-19500/476D-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N5114 A 2N5116 Y 2N5114UB A 2N5116UB, JAN, JANTX Y JANTXV (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/476C)
2003MIL MIL-PRF-19500/476C-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, TIPOS DE SILICIO 2N5114 A 2N5116 Y 2N5114UB A 2N5116UB JAN, JANTX Y JANTXV (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/476B)(S/S POR MIL-PRF-19500/476 D)
2001MIL MIL-PRF-19500/476B-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, TIPOS DE SILICIO 2N5114-2N5116 & 2N5114UB-2N5116UB JAN JANTX Y JANTXV (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/476A) (S/S POR MIL-PRF-19500/476C)
1999MIL MIL-PRF-19500/476A-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, TIPOS DE SILICIO 2N5114 A 2N5116, JAN, JANTX Y JANTXV (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/476) (S/S POR MIL-PRF-19500/476B)