GJB 33/6-1988 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2605 tipo PNP (Versión en inglés)
2021GJB 33/6A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2604 y 3CG2605 PNP
1988GJB 33/6-1988 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2605 tipo PNP