GJB 33/3-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3442 (Versión en inglés)
2021GJB 33/3A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3442
1987GJB 33/3-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3442