DIN 50438-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en el silicio mediante absorción infrarroja. Parte 1: Oxígeno.
Este documento especifica dos métodos para la determinación no destructiva del contenido de oxígeno en silicio mediante absorción infrarroja.
DIN 50438-1:1995 Historia
1995DIN 50438-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en el silicio mediante absorción infrarroja. Parte 1: Oxígeno.