GB/T 6219-1998
Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de hasta 5 W y 1 GHz (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 6219-1998
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1998
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Ultima versión
- GB/T 6219-1998
- Reemplazar
- GB/T 6219-1986
- Alcance
- Esta especificación detallada en blanco estipula los principios básicos para formular especificaciones detalladas para transistores de efecto de álamo de puerta única por debajo de 1 GHz y 5 W, y todas las especificaciones detalladas dentro de este rango son consistentes con esta especificación detallada en blanco. Esta especificación en blanco está relacionada con GB/T 4589.1-1989 "Especificación general para dispositivos discretos y circuitos integrados para dispositivos semiconductores" (DEC 747-10: 1984) y GB/T 1260-900 "Especificación para dispositivos discretos para dispositivos semiconductores" ( IEC 747.11: 1985) Una de una serie de especificaciones detalladas en blanco para .
GB/T 6219-1998 Historia
- 1998 GB/T 6219-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de hasta 5 W y 1 GHz
- 0000 GB/T 6219-1986
