GB/T 18210-2000
Conjunto fotovoltaico (PV) de silicio cristalino: medición in situ de las características IV (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 18210-2000
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2000
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Ultima versión
- GB/T 18210-2000
- Alcance
- Esta norma internacional describe procedimientos para mediciones in situ de las características de conjuntos fotovoltaicos de silicio cristalino y para la extrapolación de datos medidos a condiciones de prueba estándar (STC) u otras condiciones seleccionadas de temperatura e irradiancia. Medición de las características IV del conjunto fotovoltaico en condiciones reales del sitio y su extrapolación en condiciones de prueba de aceptación (ATC), capaz de proporcionar (ver Apéndice A e IECQ QC001002): a) datos de potencias nominales; b) verificación de si el rendimiento energético del conjunto cuadrado instalado cumple con las especificaciones de diseño; c) detectar la diferencia entre las características de los componentes de campo y las mediciones de laboratorio o fábrica; d) detectar la degradación del rendimiento de los componentes y la matriz cuadrada en relación con los datos de campo iniciales. Los datos de las mediciones de campo extrapoladas a condiciones de prueba estándar (STC) para un componente determinado se pueden comparar directamente con los resultados obtenidos previamente en el laboratorio y la fábrica. La condición es que el dispositivo fotovoltaico estándar utilizado en ambas mediciones tenga la misma respuesta espectral y la misma respuesta distribuida espacialmente. Consulte el estándar correspondiente de GB/T 6495 (o IEC 60904). Los datos medidos por el conjunto de campo incluyen diodos, cables y pérdidas por desajuste. Por lo tanto, no son directamente comparables con la suma de los datos que los componen. Si un conjunto fotovoltaico está compuesto por varios subconjuntos con diferentes ángulos de elevación, ángulos de azimut, procesos y estructuras eléctricas, los procedimientos aquí descritos solo se aplicarán a cada subconjunto fotovoltaico.
GB/T 18210-2000 Historia
- 2000 GB/T 18210-2000 Conjunto fotovoltaico (PV) de silicio cristalino: medición in situ de las características IV
