(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
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JEDEC JES2-1992
Alcance
Esta especificación establece requisitos de referencia y disposiciones de garantía de calidad para transistores de efecto de campo de potencia (FET, también conocidos como MESFET) de arseniuro de galio diseñados para su uso en aplicaciones espaciales de alta confiabilidad, como transmisores de comunicaciones de naves espaciales. La especificación identifica los parámetros eléctricos, las pruebas de aceptación de obleas, las pruebas de detección, las pruebas de cuantificación y las pruebas de inspección de aceptación de lotes pertinentes para alimentar los FET de GaAs. A los efectos de esta especificación, un FET de GaAs de potencia se define como uno utilizado como amplificador de RF que funciona en compresión. Se pretende que la especificación sea aplicable a piezas empaquetadas y portadoras de chips; en consecuencia, es posible que algunas partes de la especificación no sean aplicables a chips sin empaquetar ni montar.
JEDEC JES2-1992 Historia
1992JEDEC JES2-1992 Transistor, Fet de potencia de arseniuro de galio, especificación genérica