Esta norma especifica el método para medir el cambio de resistividad radial de una oblea única de silicio mediante el método de cuatro sondas en línea. Esta norma se aplica a la medición del cambio de resistividad radial de obleas individuales de silicio con un espesor menor que el espaciado promedio entre sondas, un diámetro superior a 15 mm y una resistividad de 1X10¯³Ω·cm~3×10³Ω·cm.
GB/T 11073-2007 Documento de referencia
GB/T 12965 Silicio monocristalino en forma de obleas cortadas y obleas lapeadas*, 2018-09-17 Actualizar
GB/T 1552 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas
GB/T 2828 Procedimiento de muestreo de conteo de inspección lote por lote y tabla de muestreo (aplicable a la inspección continua de lotes)