Toggle navigation
Normas y Especificaciones
JUS N.R1.323-1979
Términos y definiciones para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.
Inicio
JUS N.R1.323-1979
Estándar No.
JUS N.R1.323-1979
Fecha de publicación
1979
Organización
YU-JUS
Temas especiales sobre estándares y normas
Electrodo de transistor de efecto de campo de ph
campo cuadrupolar campo de seis polos
estándares y especificaciones
FAB GAAS DEVC-2005 Fabricación de dispositivos GaAs
IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET
BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET
DS/EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET
IEC 60147-1:1963 Clasificaciones y características esenciales de los dispositivos semiconductores y principios generales de los métodos de medición. Parte 1: Clasificaciones
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
GOST R 71693-2024 Dispositivos semiconductores. Métodos para establecer estándares y tolerancias para parámetros eléctricos
BS IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT
JIS C 7030:1993 Métodos de medición para transistores
© 2025 Reservados todos los derechos.