ASTM F418-77(2002)
Práctica estándar para la preparación de muestras de la región de composición constante de fosfuro de arseniuro de galio epitaxial para mediciones de efecto Hall

Estándar No.

ASTM F418-77(2002)

Fecha de publicación

1977

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Estado

 2008-07

Ultima versión

ASTM F418-77(2002)

Alcance

Se sabe que la eficiencia de los diodos emisores de luz varía con la densidad del portador del material de partida. Este procedimiento proporciona una técnica para preparar muestras en las que se puede medir la densidad del portador Hall en una región típica de aquella en la que se fabrican los dispositivos. Esta cantidad, que está relacionada con la densidad del portador, se puede utilizar directamente como parámetro de control de calidad. La movilidad es una función de una serie de parámetros de un semiconductor, incluida la densidad de impurezas ionizadas, la compensación y los defectos de la red, algunos o todos los cuales pueden relacionarse con la calidad del material tal como se refleja en la calidad del dispositivo. El uso de este procedimiento hace posible la medición de la movilidad de la región de composición constante. Dado que en GaAs (1−x)Px con x cerca de 0,38, como se usa con mayor frecuencia para los diodos emisores de luz, el mínimo directo (000 o &#Γ) y el indirecto (100 o X) Los mínimos están a unos pocos milielectronvoltios de energía entre sí, ambos están poblados con electrones portadores de corriente. La movilidad en las dos bandas es significativamente diferente y la población relativa de las dos depende de la composición precisa (valor x), el nivel de dopaje y la temperatura. Por lo tanto, tanto el coeficiente de Hall como la movilidad de Hall deben interpretarse con cuidado (2,3). En particular, una medición de la densidad de portadores Hall no concordará con una medición de densidad de portadores en la misma muestra realizada mediante técnicas de capacitancia-voltaje. Sin embargo, si la intención de medir la densidad de portadores de muestras compradas o cultivadas es encontrar aquellas que sean óptimas para la fabricación de diodos, las mediciones de Hall pueden ser valiosas porque se puede derivar una curva de eficiencia versus densidad de portadores de Hall para que el proceso del dispositivo sea utilizado en base a los datos tomados de muestras preparadas de acuerdo con este procedimiento.1.1 Esta práctica cubre un procedimiento a seguir para liberar la región de composición constante de fosfuro de arseniuro de galio cultivado epitaxialmente, GaAs(1x)Px, del sustrato y la región graduada en la que se cultivó para medir las propiedades eléctricas sólo de la región de composición constante, que suele tener entre 30 y 100 m de espesor. También establece dos procedimientos alternativos a seguir para hacer contacto eléctrico con la muestra. 1.2 Se pretende que esta práctica se utilice junto con los Métodos de prueba F 76.1.3 Los parámetros específicos establecidos en esta práctica recomendada son apropiados para GaAs0. 62P0. 38, pero se pueden aplicar, con cambios en los tiempos de grabado, a materiales con otras composiciones.1.4 Esta práctica no se ocupa de realizar o interpretar la medición Hall en una muestra preparada como se describe en este documento, aparte de señalar la existencia y posible efectos debidos a la distribución de los portadores libres entre los dos mínimos de la banda de conducción.1.5 Esta práctica también se puede seguir en la preparación de muestras de la región de composición constante para mediciones de absorción de luz o para análisis espectrométricos de masa o emisión.1.6 Esta práctica se vuelve cada vez más difícil de aplicar a medida que las muestras se vuelven más delgadas. 1.7 Esta norma no pretende abordar todas las preocupaciones de seguridad, si las hay, asociadas con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Para conocer las declaraciones de peligro, consulte la Sección 9 y 11.9.2.4.

ASTM F418-77(2002) Documento de referencia

• ASTM D1125 Métodos de prueba estándar para conductividad eléctrica y resistividad del agua*， 1995-11-06 Actualizar
• ASTM F358 Método de prueba estándar para la longitud de onda de fotoluminiscencia máxima y la composición correspondiente de obleas de fosfuro de arseniuro de galio*， 1983-11-06 Actualizar
• ASTM F76 Métodos de prueba estándar para medir la resistividad y el coeficiente Hall y determinar la movilidad Hall en semiconductores monocristalinos*， 1986-11-06 Actualizar

ASTM F418-77(2002) Historia

• 1977 ASTM F418-77(2002) Práctica estándar para la preparación de muestras de la región de composición constante de fosfuro de arseniuro de galio epitaxial para mediciones de efecto Hall
• 1977 ASTM F418-77(1996)e1 Práctica estándar para la preparación de muestras de la región de composición constante de fosfuro de arseniuro de galio epitaxial para mediciones de efecto Hall