GB/T 14144-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 14144-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 14144-2009
Reemplazar: GB/T 14144-1993

Alcance: Este estándar utiliza espectroscopía infrarroja para determinar la variación radial del contenido de oxígeno intersticial en cristales de silicio. Este estándar requiere el uso de muestras de referencia anaeróbicas y un conjunto de estándares certificados para calibrar equipos. Esta norma se aplica a la medición del contenido de oxígeno intersticial en monocristales de silicio tipo n con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,1 Ω·cm y monocristales de silicio tipo p con resistividad a temperatura ambiente superior a 0,5 Ω·cm. El rango efectivo de este estándar para medir el contenido de oxígeno es desde 1×10 at·cm hasta la máxima solubilidad sólida del oxígeno intersticial en cristales de silicio.

GB/T 14144-2009 Documento de referencia

GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1557-2006 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.

2009 GB/T 14144-2009 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
1993 GB/T 14144-1993 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.