GB/T 14146-2009
Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 14146-2009
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2009
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2021-12
- Remplazado por
- GB/T 14146-2021
- Ultima versión
- GB/T 14146-2021
- Reemplazar
- GB/T 14146-1993
- Alcance
- Esta norma especifica el método de medición de voltaje-capacitancia con sonda de mercurio para la concentración de portadores de la capa epitaxial de silicio. Esta norma es aplicable a la medición de la concentración de portadores de una capa epitaxial de silicio homogénea. Rango de medición: 4×10cm~8×10cm. El espesor de la capa epitaxial de silicio probada según esta norma debe ser mayor que la profundidad del agotamiento bajo el sesgo de prueba. Esta norma también es aplicable a la medición de la concentración de portadores de obleas pulidas de silicio.
GB/T 14146-2009 Documento de referencia
- GB/T 14847-1993 Método de prueba para determinar el espesor de capas equitaxiales de silicio ligeramente dopado sobre sustratos de silicio fuertemente dopados mediante reflectancia infrarroja
- GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
- GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas
GB/T 14146-2009 Historia
- 2021 GB/T 14146-2021 Método de prueba para la concentración de portadores de capas epitaxiales de silicio: método de capacitancia-voltaje
- 2009 GB/T 14146-2009 Capas epitaxiales de silicio-determinación de la concentración de portadores-voltajes de sonda de mercurio-método de capacitancia
- 1993 GB/T 14146-1993 Capas epitaxiales de silicio--Determinación de la concentración de portadores--Sonda de mercurio Método de valtage-capacitancia
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