SJ/T 11396-2009 (Versión en inglés)

Alcance: Esta norma especifica los requisitos técnicos, métodos de prueba, inspección y prueba, marcado, embalaje, transporte y almacenamiento de sustratos pulidos de cristal único de zafiro de alta pureza para nitruro de galio epitaxial. Esta norma es aplicable a la preparación de sustratos pulidos de monocristal de zafiro de alta pureza para el nitruro de galio epitaxial de diodos semiconductores emisores de luz.

SJ/T 11396-2009 Documento de referencia

GB/T 1031-1995 Parámetros de robustez de la superficie y sus valores.
GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1554-1995 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
GB/T 2828.1-2003 Procedimientos de muestreo para inspección por atributos. Parte 1: Esquemas de muestreo indexados por límite de calidad de aceptación (AQL) para inspección lote por lote.
GB/T 6618 Método de prueba para el espesor y la variación del espesor total de rodajas de silicio.
GB/T 6619 Método de prueba para el arco de obleas de silicio.
GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
GB/T 6621 Métodos de prueba para determinar la planitud de la superficie de rodajas de silicio.
GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

2009 SJ/T 11396-2009 Los sustratos de zafiro para diodos emisores de luz a base de nitruro.