Estos requisitos suplementarios se aplican a los cartuchos fusibles para su aplicación en equipos que contienen dispositivos semiconductores para circuitos de tensiones nominales de hasta 1 000 V ca o 1 500 V cc y también, en la medida en que sean aplicables, para circuitos de tensiones nominales superiores. NOTA 1 Estos fusibles se denominan comúnmente “fusibles semiconductores”. NOTA 2 En la mayoría de los casos, una parte del equipo asociado sirve como base de fusible. Debido a la gran variedad de equipos, no se pueden dar reglas generales; la idoneidad del equipo asociado para servir como base de fusible debería estar sujeta a un acuerdo entre el fabricante y el usuario. Sin embargo, si se utilizan bases de fusibles o portafusibles separados, deben cumplir con los requisitos correspondientes de IEC 60269-1. El objeto de estos requisitos suplementarios es establecer las características de los cartuchos fusibles semiconductores de forma que puedan ser sustituidos por otros cartuchos fusibles de las mismas características, siempre que sus dimensiones sean idénticas. A tal efecto, esta norma se refiere en particular a a) las siguientes características de los fusibles: 1) sus valores nominales; 2) su temperatura aumenta en servicio normal; 3) su disipación de poder; 4) sus características tiempo-corriente; 5) su capacidad de ruptura; 6) sus características de corriente de corte y sus características I2t; 7) sus características de voltaje de arco; b) ensayos de tipo para verificación de las características de los fusibles; c) las marcas de los fusibles; d) disponibilidad y presentación de datos técnicos (ver Anexo B).
BS EN 60269-4:2009 Documento de referencia
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ISO 3 Números preferidos; Serie de números preferidos
BS EN 60269-4:2009 Historia
2017BS EN 60269-4:2009+A2:2016 Fusibles de baja tensión. Requisitos suplementarios para cartuchos fusibles para la protección de dispositivos semiconductores
2010BS EN 60269-4:2009+A1:2012 Fusibles de baja tensión. Requisitos suplementarios para cartuchos fusibles para la protección de dispositivos semiconductores
2010BS EN 60269-4:2009 Fusibles de baja tensión. Requisitos suplementarios para cartuchos fusibles para la protección de dispositivos semiconductores.
2007BS EN 60269-4:2007 Fusibles de baja tensión. Requisitos suplementarios para cartuchos fusibles para la protección de dispositivos semiconductores.
1988BS EN 60269-4:1996 Fusibles de baja tensión. Requisitos suplementarios para cartuchos fusibles para la protección de dispositivos semiconductores.