GOST 20859.1-1989
Dispositivos semiconductores de potencia. Requisitos técnicos generales

Estándar No.
GOST 20859.1-1989
Fecha de publicación
1989
Organización
Gosstandart of Russia
Estado
 2002-07
Remplazado por
GOST 30617-1998
Ultima versión
GOST 30617-1998
 
Alcance
Esta norma se aplica a dispositivos semiconductores de potencia de uso general: diodos, tiristores triodos, bipolares (incluidos

GOST 20859.1-1989 Historia

  • 1998 GOST 30617-1998 Módulos semiconductores de potencia. Especificaciones generales
  • 1989 GOST 20859.1-1989 Dispositivos semiconductores de potencia. Requisitos técnicos generales
  • 1979 GOST 20859.1-1979 Dispositivos de potencia semiconductores de una única serie unificada. Condiciones técnicas generales

estándares y especificaciones

CSN 35 1601-1980 semiconductores de potencia. Requisitos técnicos generales. Métodos de prueba GOST 30617-1998 Módulos semiconductores de potencia. Especificaciones generales DIN 41751:1977 Convertidores de potencia estáticos; Conjuntos y equipos de convertidores de semiconductores, métodos de refrigeración DS/EN 60146-1-1:2010 Convertidores de semiconductores. Requisitos generales y convertidores conmutados en línea. Parte 1-1: Especificación de requisitos básicos SJ 2852-1988 Dispositivos semiconductores discretos: especificaciones detalladas para la base y la tapa de transistores de alta potencia QJ 10005-2008 Directrices de prueba de efectos de eventos únicos inducidos por iones pesados de dispositivos semiconductores para aplicaciones espaciales IEC 60747-15:2024 Dispositivos semiconductores. Parte 15: Dispositivos discretos. Dispositivos semiconductores de potencia aislados CEI EN IEC 60146-1-1:2024 Convertidores de semiconductores. Requisitos generales y convertidores conmutados en línea. Parte 1-1: Especificación de requisitos básicos GSO IEC 60146-1-1:2014 Convertidores de semiconductores. Requisitos generales y convertidores conmutados en línea. Parte 1-1: Especificación de requisitos básicos


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