BS EN 60749-19:2003+A1:2010
Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Resistencia al corte
- Estándar No.
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- Fecha de publicación
- 2003
- Organización
- British Standards Institution (BSI)
- Ultima versión
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- Alcance
- Esta parte de IEC 60749 determina (ver nota) la integridad de los materiales y los procedimientos utilizados para unir la matriz semiconductora a los cabezales del paquete u otros sustratos (a los efectos de este método de prueba, se debe considerar que el término "matriz semiconductora" incluye elementos pasivos). . Este método de prueba generalmente solo se aplica a paquetes con cavidades o como monitor de proceso. No es aplicable para áreas de matriz superiores a 10 mm2. Tampoco es aplicable a la tecnología de chip invertido ni a sustratos flexibles.
BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Historia
- 2003 BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Resistencia al corte
- 2003 BS EN 60749-19:2003
