IEC 60749-19:2010
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Ensayo de resistencia al corte.
- Estándar No.
- IEC 60749-19:2010
- Fecha de publicación
- 2010
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Estado
- 2010-12
- Remplazado por
- IEC 60749-19:2003/AMD1:2010
- Ultima versión
- IEC 60749-19:2003/AMD1:2010
- Alcance
- Esta parte de IEC 60749 determina (ver nota) la integridad de los materiales y los procedimientos utilizados para unir la matriz semiconductora a los cabezales del paquete u otros sustratos (a los efectos de este método de prueba, se debe considerar que el término "matriz semiconductora" incluye elementos pasivos). . Este método de prueba generalmente solo se aplica a paquetes con cavidades o como monitor de proceso. No es aplicable para áreas de matriz superiores a 10 mm2. Tampoco es aplicable a la tecnología de chip invertido ni a sustratos flexibles. NOTA 1 Esta determinación se basa en una medida de la fuerza aplicada al dado o al elemento y, si ocurre una falla, el tipo de falla resultante de la aplicación de la fuerza y la apariencia visual del medio de unión del dado residual y el metalización del cabezal/sustrato. NOTA 2 En paquetes de cavidades, la resistencia al corte del troquel se mide para asegurar la resistencia de la unión del troquel dentro de la cavidad. En paquetes sin cavidades, como paquetes encapsulados de plástico, se utiliza unión de matrices para evitar el movimiento de la matriz hasta que el molde de resina esté completamente curado. Normalmente, la especificación de la resistencia al corte del troquel y el área mínima de adhesión de la unión del troquel después del moldeo son innecesarias, excepto en las siguientes circunstancias: ——cuando el troquel necesita estar conectado eléctricamente a la almohadilla del troquel; ——cuando es necesario difundir el calor del troquel a través de la unión del troquel.
IEC 60749-19:2010 Historia
- 2010 IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Ensayo de resistencia al corte.
- 2010 IEC 60749-19:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Ensayo de resistencia al corte.
- 2003 IEC 60749-19:2003 Dispositivos de semiconductores Métodos de ensayos mecánicos y climáticos Parte 19: Resistencia de la pastilla au cisaillement (Edición 1.0)
