IEC 60747-8:2010
Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
- Estándar No.
- IEC 60747-8:2010
- Fecha de publicación
- 2010
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Estado
- Remplazado por
- IEC 60747-8:2021
- Ultima versión
- IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
- Alcance
- Esta parte de IEC 60747 proporciona normas para las siguientes categorías de transistores de efecto de campo: ——tipo A: tipo de puerta de unión; ——tipo B: tipo de agotamiento de puerta aislada (normalmente abierta); ——tipo C: tipo realce de puerta aislada (normalmente apagada). Dado que un transistor de efecto de campo puede tener una o varias puertas, se obtiene la clasificación que se muestra a continuación: NOTA 1 Los dispositivos de puerta de barrera Schottky y de puerta aislada incluyen dispositivos de tipo empobrecimiento y dispositivos de tipo mejora. NOTA 2 Es posible que los MOSFET para algunas aplicaciones no tengan características de diodo inverso en la hoja de datos. Para tales aplicaciones se están desarrollando estructuras de elementos de circuito especiales para eliminar los diodos del cuerpo. Las aplicaciones MOSFET, como los equipos de control de motores, deben especificar las características del diodo inverso en el MOSFET para utilizar el diodo inverso como diodo de rueda libre. NOTA 3 En esta norma se utiliza el símbolo gráfico únicamente para el tipo C. El estándar se aplica igualmente para el canal P y para los dispositivos de tipo A y B.
IEC 60747-8:2010 Historia
- 2021 IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
- 2021 IEC 60747-8:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
- 2010 IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
- 2000 IEC 60747-8:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 8: Transistores de efecto de campo
- 1993 IEC 60747-8/AMD2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 8: transistores de efecto de campo; enmienda 2
- 1991 IEC 60747-8/AMD1:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 8: transistores de efecto de campo; enmienda 1
- 1984 IEC 60747-8:1984 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
