JIS C 5630-6:2011
Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

Estándar No.

JIS C 5630-6:2011

Fecha de publicación

2011

Organización

Japanese Industrial Standards Committee (JISC)

Estado

Ultima versión

JIS C 5630-6:2011

Remplazado por

GMKOREA EDS-M-4633-2014

JIS C 5630-6:2011 Documento de referencia

• JIS C 5630-2 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada

JIS C 5630-6:2011 Historia

• 2011 JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada ha sido cambiado a GMKOREA EDS-M-4633-2014 Mezcla de caucho EPDM y polipropileno relleno de talco al 15 % (Versión 17; inglés/coreano; no utilizar en programas nuevos; no se requiere reemplazo).