GJB 33/16-2011
Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32. (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33/16-2011

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2011

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Ultima versión

GJB 33/16-2011

Alcance

Esta especificación especifica los requisitos detallados para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32 (en adelante denominado "dispositivo"). Esta especificación se aplica al desarrollo, producción y adquisición de dispositivos.

GJB 33/16-2011 Documento de referencia

• GJB 128A-1997 Métodos de prueba de dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33A-1997 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 4027A-2006 Métodos de análisis físico destructivo para componentes electrónicos militares.

GJB 33/16-2011 Historia

• 2011 GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.