La prueba de irradiación de neutrones se realiza para determinar la susceptibilidad de los dispositivos semiconductores a la degradación en el entorno de neutrones. Las pruebas descritas en este documento son aplicables a circuitos integrados y dispositivos semiconductores discretos. Esta prueba está destinada a aplicaciones militares y espaciales. Esta es una prueba destructiva. Los objetivos de esta prueba son los siguientes: a) detectar y medir la degradación de los parámetros críticos del dispositivo semiconductor en función de la fluencia de neutrones, y b) determinar si los parámetros específicos del dispositivo semiconductor están dentro de los límites especificados después de la exposición a un nivel específico de fluencia de neutrones (ver Cláusula