ANSI/ESD S5.3.1-2009
Nivel de componente del modelo de dispositivo cargado (CDM)

Estándar No.
ANSI/ESD S5.3.1-2009
Fecha de publicación
2009
Organización
Electrostatic Discharge Association (ESDA)
Ultima versión
ANSI/ESD S5.3.1-2009
 
Alcance
Esta norma establece el procedimiento para probar, evaluar y clasificar la sensibilidad a las descargas electrostáticas (ESD) de los componentes según el modelo de dispositivo cargado (CDM) definido.

ANSI/ESD S5.3.1-2009 Historia

Nivel de componente del modelo de dispositivo cargado (CDM)

estándares y especificaciones

ANSI/ESD STM5.3.1-1999 de dispositivo cargado (CDM) DIN EN IEC 60749-28:2024-12*VDE 0884-749-28:2024-12 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos NF EN 60749-28:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 28: Prueba de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo DIN EN 60749-28 E:2012-07 Métodos de ensayo mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores Parte 28: Ensayo de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) Modelo ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022 Prueba de sensibilidad a descargas electrostáticas: modelo de dispositivo cargado (CDM) Nivel de dispositivo IEC 60749-28:2022 RLV Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 28: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo GSO IEC 60749-28:2021 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 28: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo IEC 60749-28:2017 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 28: Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) - Modelo BS EN IEC 60749-28:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo


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