KS D 0265-1989
Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.

Estándar No.
KS D 0265-1989
Fecha de publicación
1989
Organización
Korean Agency for Technology and Standards (KATS)
Estado
 2019-01
Remplazado por
KS D 0265-2019
Ultima versión
KS D 0265-2024
 
Alcance
Esta norma describe un método para medir la vida útil de los portadores minoritarios en monocristales de germanio utilizando el método de atenuación fotoconductora.

KS D 0265-1989 Historia

  • 2024 KS D 0265-2024
  • 2019 KS D 0265-2019 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.
  • 1989 KS D 0265-1989 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en germanio mediante el método de desintegración fotoconductora.

Temas especiales sobre estándares y normas

Prueba de vida de la minoría Método de medición de la vida útil del portador minoritario Lectura de forma de onda de vida útil de portadores minoritarios Vida útil del portador de germanio Vida útil del portador de germanio

estándares y especificaciones

JIS H 0603:1978 Medición de la vida KS D 0265-2019 Medición de la vida KS D 0265-1989(2019 Medición de la vida JIS H 0604:1995 Medición de la vida útil de los portadores minoritarios en monocristales de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador ASTM F28-02 Duración de la vida de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la descomposición de la fotoconductividad Métodos ASTM STP 1340-1998 Medición del tiempo de vida de la recombinación en silicio ASTM F28-91(1997 Métodos de prueba estándar para la vida útil de los portadores minoritarios en germanio y silicio a granel mediante la medición de la degradación ASTM F1535-00 Medición sin contacto de la vida útil de recombinación de portadores en obleas de silicio Reflectividad de microondas de atenuación fotoconductora


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