GB 9595-1988
Especificación detallada para componentes electrónicos 2CW412~473 diodos de ajuste de voltaje de silicio (Versión en inglés)

Estándar No.
GB 9595-1988
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
1988
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Estado
Ultima versión
GB 9595-1988
Remplazado por
SJ/T 10992-1996
 

GB 9595-1988 Historia

  • 1988 GB 9595-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos 2CW412~473 diodos de ajuste de voltaje de silicio

estándares y especificaciones

BS 9300 C405-429:1971 Especificaciones detalladas para diodos reguladores de voltaje de silicio BS 9300 C780-831:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio BS 9300 C841-849:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio NF C86-815/A3:1983 Componentes electrónicos Diodos reguladores de tensión y diodos de referencia de tensión Manual de especificaciones detalladas en el ámbito de las normas IEEE PC62.59/D3, September 2018 Borrador de norma IEEE para métodos de prueba y valores preferidos para diodos de sujeción de unión PN de silicio NF C86-253:1988 Componentes para Equipos Electrónicos Memorias dinámicas de lectura/escritura MOS Circuitos monolíticos de silicio Lista de especificaciones detalladas vigentes NF C86-812/A3:1981 Componentes electrónicos Diodos semiconductores de señal y/o conmutación de uso general. Colección de especificaciones detalladas dentro del alcance NF C86-819/A2:1984 Componentes electrónicos Diodos rectificadores con caja nominal Manual de especificaciones detalladas en el ámbito de las normas francesas NF C 86-010 y NF C 86 NF C86-252:1988 Componentes para equipos electrónicos MOS Memorias de sólo lectura, borrables con luz ultravioleta, programables eléctricamente, circuitos monolíticos


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