GB/T 14141-1993
Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 14141-1993
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1993
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2010-06
- Remplazado por
- GB/T 14141-2009
- Ultima versión
- GB/T 14141-2009
- Alcance
- Esta norma especifica el método para medir la resistencia laminar de la capa epitaxial de silicio, la capa de difusión y la capa de implantación de iones con cuatro sondas en línea. Esta norma es aplicable a la medición de la resistencia laminar promedio de una capa delgada formada sobre o debajo de la superficie de una oblea de silicio por epitaxia, difusión o implantación de iones con un diámetro superior a 10,0 mm. El tipo de conductividad del sustrato de silicio es opuesto al de la capa fina que se va a medir. Para una capa fina con un espesor de 0,2 a 3 μm, el rango de medición es de 250 a 5000 Ω; para una capa delgada con un espesor no inferior a 3 μm, el límite inferior de medición de la resistencia de la lámina puede alcanzar 10 Ω.
GB/T 14141-1993 Historia
- 2009 GB/T 14141-2009 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difundidas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
- 1993 GB/T 14141-1993 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
