IEC 60747-8-1:1987
Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
- Estándar No.
- IEC 60747-8-1:1987
- Fecha de publicación
- 1987
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Estado
- Ultima versión
- IEC 60747-8-1:1987
- Alcance
- Aplicable a la evaluación de la calidad de los transistores de efecto de campo. Proporciona requisitos específicos (incluidos en QC 750112 del sistema IECQ), representa la especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de hasta 5 W y 1 GHz.
IEC 60747-8-1:1987 Historia
- 1987 IEC 60747-8-1:1987 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
