Esta norma especifica el método de prueba de absorción infrarroja para la concentración de EL2 del donante profundo en un monocristal semiaislante de arseniuro de galio. Esta norma se aplica a la determinación de la concentración de donante profundo EL2 en monocristales de arseniuro de galio semiaislante no dopados y dopados con carbono con una resistividad superior a 106 Ω·cm. Esta norma no se aplica a la determinación de la concentración EL2 de un donante profundo de monocristal semiaislante de arseniuro de galio dopado con cromo.
GB/T 17170-2015 Documento de referencia
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
1997GB/T 17170-1997 Método de prueba para la concentración EL2 de nivel profundo de arseniuro de galio monocristalino semiaislante no dopado mediante medición del método de absorción infrarroja