GB/T 17170-2015
(Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 17170-2015
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2015
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 17170-2015
Reemplazar
GB/T 17170-1997
Alcance
Esta norma especifica el método de prueba de absorción infrarroja para la concentración de EL2 del donante profundo en un monocristal semiaislante de arseniuro de galio. Esta norma se aplica a la determinación de la concentración de donante profundo EL2 en monocristales de arseniuro de galio semiaislante no dopados y dopados con carbono con una resistividad superior a 106 Ω·cm. Esta norma no se aplica a la determinación de la concentración EL2 de un donante profundo de monocristal semiaislante de arseniuro de galio dopado con cromo.

GB/T 17170-2015 Documento de referencia

  • GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones

GB/T 17170-2015 Historia

  • 2015 GB/T 17170-2015
  • 1997 GB/T 17170-1997 Método de prueba para la concentración EL2 de nivel profundo de arseniuro de galio monocristalino semiaislante no dopado mediante medición del método de absorción infrarroja



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