OVE EN IEC 63275-1:2021
Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización (IEC 47/2679/CDV) (versión en inglés).

Estándar No.
OVE EN IEC 63275-1:2021
Fecha de publicación
2021
Organización
AT-OVE/ON
Ultima versión
OVE EN IEC 63275-1:2021

OVE EN IEC 63275-1:2021 Historia

  • 2021 OVE EN IEC 63275-1:2021 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización (IEC 47/2679/CDV) (versión en inglés).



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