ASTM F47-94

Estándar No.
ASTM F47-94
Fecha de publicación
1970
Organización
/
Ultima versión
ASTM F47-94
Alcance
1.1 Este método de prueba2 se utiliza para determinar si un lingote o pieza de silicio tiene una estructura monocristalina y, de ser así, la densidad de dislocaciones que pueden estar presentes. También se pueden delinear remolinos y estrías. Estos defectos de los cristales se describen para evitar confusiones al contar los hoyos de grabado de las dislocaciones. NOTA 1: El método de prueba F416, aunque destructivo, se prefiere para la detección de defectos inducidos por la oxidación. 1.2 Este procedimiento es adecuado para cristales de silicio con densidades de dislocación entre O y 100 O00 cm-*. 1.3 Se pueden evaluar cristales de silicio dopados del tipo p o n y con resistividades tan bajas como 0,005 il cm. Este método de prueba es aplicable para la evaluación de cristales de silicio crecidos en dirección [11i] o [1001]. 1.4 Este método de prueba utiliza un grabador químico preferencial para delinear defectos cristalográficos. Se incluyen dos grabadores, el grabado Sirtl para silicio [1 1 i] (9.4.1) y el grabado Schimmel para silicio [1001 (9.4.2). Mientras que el uso del grabado Sirtl se limita al silicio [1 1i], el grabado Schimmel se puede utilizar para cristales de silicio cultivados en ambas direcciones [lo01 y [ill]. NOTA 2-DIN 50434 difiere de este método de prueba en que no incluye procedimientos para (100) silicio, proporciona una clasificación numérica de cuatro dígitos de la calidad de la superficie y utiliza un procedimiento ligeramente diferente para contar el número de dislocaciones. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Peligro específico __ Este método de prueba está bajo la jurisdicción del Comité F-1 de ASTM sobre Electrónica y es responsabilidad directa del Subcomité F01.06 sobre Control de Procesos y Materiales de Silicio. Edición actual aprobada el 15 de julio de 1994. Publicado en septiembre de 1994. Publicado originalmente como F 47 64 T. Última edición anterior F 47 88. 2DIN 50434 es un método equivalente. Es responsabilidad del Comité DIN NMP 221, con el cual el Comité F-1 mantiene un estrecho enlace técnico. DIN 50434, Pruebas de materiales semiconductores inorgánicos: determinación de las imperfecciones cristalinas de muestras de silicio monocristalino en superficies grabadas [ill], está disponible en Beuth Verlag GmbH Burggrafenstrasse4-10, DI000 Berlín 30, República Federal de Alemania (ver también Vol 10.05). y las declaraciones de peligro se dan en la Sección 10.

ASTM F47-94 Documento de referencia

ASTM F47-94 Historia



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