SJ 1831-1981
Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK28 (Versión en inglés)
- Estándar No.
- SJ 1831-1981
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1982
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Estado
- 2016-09
- Remplazado por
- SJ/T 1831-2016
- Ultima versión
- SJ/T 1831-2016
SJ 1831-1981 Historia
- 2016 SJ/T 1831-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK28 del dispositivo semiconductor discreto
- 1982 SJ 1831-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK28
SJ 1831-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK28 ha sido cambiado a SJ/T 1831-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK28 del dispositivo semiconductor discreto.
