Este documento establece los métodos para medir el espesor, la variación de espesor y la curvatura de los sustratos de silicio. Proporciona procedimientos detallados que permiten obtener mediciones precisas y consistentes en la industria del semiconductor. Incluye descripciones de los equipos necesarios, las condiciones de medición, así como las técnicas de análisis adecuadas para cada parámetro específico. El objetivo principal es garantizar que los resultados obtenidos sean comparables entre diferentes laboratorios y fabricantes. El alcance del estándar se centra en la aplicación de estos métodos a sustratos de silicio utilizados en procesos de fabricación de dispositivos electrónicos. Los métodos descritos son aplicables tanto para sustratos planos como para aquellos con curvatura definida.
*** Tenga en cuenta: esta descripción puede no ser precisa; consulte la documentación oficial.
KS D 0259-2012(2022) Historia
2022KS D 0259-2022 Métodos de medición de espesor, variación de espesor y arco para oblea de silicio.
0000 KS D 0259-2012(2017)
2012KS D 0259-2012 Métodos de medición de espesor, variación de espesor y arco para oblea de silicio.