MIL MIL-PRF-19500/704-2002
DISPOSITIVO SEMICODUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7485U3 - 2N7486U3 JANTXVR Y JANSR (S/S POR MIL-PRF-19500/704A)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/704-2002
Fecha de publicación
2002
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/704A-2004
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/704F-2014
 
Introducción

El Departamento de Defensa de los Estados Unidos publicó el documento estándar MIL-PRF-19500/704A el 18 de enero de 2002. Este documento especifica los requisitos para los transistores de efecto de campo resistentes a la radiación (dosis total y efectos de partículas individuales) de tipo N, de silicio, con las designaciones 2N7485U3, 2N7486U3, JANTXVR y JANSR. Estos transistores están diseñados para cumplir con los estándares de calidad y confiabilidad exigidos por el sector militar, particularmente en aplicaciones donde la resistencia a la radiación es crítica.

MIL MIL-PRF-19500/704-2002 Historia

  • 2014 MIL MIL-PRF-19500/704F-2014 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7485U3, 2N7486U3, 2N7487U3 y 2N7555U3 JANTXVR y JANSR
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/704E-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7485U3, 2N7486U3, 2N7487U3 y 2N7555U3 JANTXVR y JANSR
  • 2012 MIL MIL-PRF-19500/704D-2012 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7485U3, 2N7486U3, 2N7487U3 y 2N7555U3 JANTXVR y JANSR
  • 2010 MIL MIL-PRF-19500/704C-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7485U3, 2N7486U3, 2N7487U3 y 2N7555U3 JANTXVR y JANSR
  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/704A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/704)
  • 2002 MIL MIL-PRF-19500/704-2002 DISPOSITIVO SEMICODUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7485U3 - 2N7486U3 JANTXVR Y JANSR (S/S POR MIL-PRF-19500/704A)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/741B-2018 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/741A-2009 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/683-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F,G MIL MIL-PRF-19500/684A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/683B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G MIL MIL-PRF-19500/684-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/684B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/752A-2017 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, endurecido por radiación (dosis total y efectos de evento único), silicio de nivel lógico MIL MIL-PRF-19500/684C-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2


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