MIL MIL-PRF-19500/687A-2004
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/687)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/687A-2004
Fecha de publicación
2004
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/687C-2013
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/687D-2016
 
Introducción

El Departamento de Defensa de los Estados Unidos publicó el documento de estandarización MIL-PRF-19500/687A-2004 el 12 de julio de 2004. Este estándar, titulado "Dispositivos Semiconductores - Transistores de Efecto de Campo Resistentes a la Radiación (Dosis Total y Efecto de Partícula Única) de Canal N de Silicio, Tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R", reemplaza al anterior MIL-PRF-19500/687. El documento establece las especificaciones técnicas y los requisitos de calidad para estos transistores, que son utilizados en aplicaciones que requieren alta resistencia a la radiación, como en entornos espaciales y nucleares.

MIL MIL-PRF-19500/687A-2004 Historia

  • 2016 MIL MIL-PRF-19500/687D-2016 Transistor, efecto de campo, canal N, endurecido por radiación, silicio, encapsulado (paquete de montaje con orificio pasante), tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/687C-2013 Transistor, efecto de campo, canal N, endurecido por radiación, silicio, encapsulado (paquete de montaje con orificio pasante), tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/687A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/687)
  • 2001 MIL MIL-PRF-19500/687-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS DE SILICIO DE CANAL N 2N7509, 2N7510 Y 2N7511 JANTXVD, R Y JANSD, R (S/S POR MIL-PRF-19500/687A)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/741B-2018 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/775C-2020 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7648 NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/775A-2018 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7648 NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/776-2020 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7650 Y 2N7651, NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/775B-2019 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7648 NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/775-2018 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7648 NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/777-2020 TRANSISTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7652, NIVELES DE CALIDAD JANTXV Y JANS MIL MIL-PRF-19500/692B-2015 Transistor, efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7515, 2N7516 y 2N7517, JANTXV y JANS MIL MIL-PRF-19500/741A-2009 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio


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