MIL MIL-PRF-19500/685E-2010
Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR

Estándar No.

MIL MIL-PRF-19500/685E-2010

Fecha de publicación

2010

Organización

Military Standards (MIL-STD)

Estado

ser reemplazado

Remplazado por

MIL MIL-PRF-19500/685F-2013

Ultima versión

MIL MIL-PRF-19500/685H-2016

Alcance

Esta especificación cubre los requisitos de rendimiento para transistores de potencia de canal N, modo de mejora, MOSFET, endurecidos por radiación (dosis total y efectos de evento único (SEE)), con clasificación máxima de energía de avalancha (EAS) y corriente de avalancha máxima (IAS) para uso en aplicaciones particulares de conmutación de energía. Se proporcionan dos niveles de garantía de producto (JANTXV y JANS) para cada tipo de dispositivo como se especifica en MIL-PRF-19500. Consulte 6.5 para las versiones de matrices JANHC y JANKC.

MIL MIL-PRF-19500/685E-2010 Historia

• 2016 MIL MIL-PRF-19500/685H-2016 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685G)
• 2014 MIL MIL-PRF-19500/685G-2014 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
• 2013 MIL MIL-PRF-19500/685F-2013 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
• 2010 MIL MIL-PRF-19500/685E-2010 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
• 2007 MIL MIL-PRF-19500/685D-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685B)
• 2005 MIL MIL-PRF-19500/685B-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685A)(S/S POR MIL-PRF -19500/685D)
• 2003 MIL MIL-PRF-19500/685A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE ARCHIVO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685) (S/S POR MIL-PRF- 19500/685B)
• 2000 MIL MIL-PRF-19500/685-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (S/S POR MIL-PRF-19500/685A)

estándares y especificaciones