MIL MIL-PRF-19500/685D-2007
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685B)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/685D-2007
Fecha de publicación
2007
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/685E-2010
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/685H-2016
 
Introducción

El documento MIL-PRF-19500/685D-2007, publicado el 23 de enero de 2007, establece los requisitos de estandarización para los transistores de efecto de campo resistentes a la radiación, específicamente los tipos N-channel de silicio 2N7475T1, 2N7476T1 y 2N7477T1. Estos dispositivos están diseñados para soportar efectos de dosis total y eventos de partículas individuales, y son designados como JANTXVR y JANSR. Este estándar reemplaza la versión anterior MIL-PRF-19500/685B y define las especificaciones técnicas y los procedimientos de prueba necesarios para garantizar la fiabilidad y el rendimiento en entornos radiactivos.

MIL MIL-PRF-19500/685D-2007 Historia

  • 2016 MIL MIL-PRF-19500/685H-2016 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685G)
  • 2014 MIL MIL-PRF-19500/685G-2014 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/685F-2013 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
  • 2010 MIL MIL-PRF-19500/685E-2010 Transistor, endurecido por radiación de efecto de campo, canal N, silicio, tipos de dispositivo 2N7475, 2N7476 y 2N7477 JANTXVR y JANSR
  • 2007 MIL MIL-PRF-19500/685D-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685B)
  • 2005 MIL MIL-PRF-19500/685B-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685A)(S/S POR MIL-PRF -19500/685D)
  • 2003 MIL MIL-PRF-19500/685A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE ARCHIVO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/685) (S/S POR MIL-PRF- 19500/685B)
  • 2000 MIL MIL-PRF-19500/685-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) JANTXVR Y JANSR (S/S POR MIL-PRF-19500/685A)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/741B-2018 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/741A-2009 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/683-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F,G MIL MIL-PRF-19500/684A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/683B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G MIL MIL-PRF-19500/684-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/684B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/752A-2017 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, endurecido por radiación (dosis total y efectos de evento único), silicio de nivel lógico MIL MIL-PRF-19500/684C-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2


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