European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）
Ultima versión
EN 60749-6:2017
Alcance
IEC 60749-6:2017(E) tiene como objetivo probar y determinar el efecto en todos los dispositivos electrónicos de estado sólido del almacenamiento a temperatura elevada sin aplicar tensión eléctrica. Esta prueba se utiliza normalmente para determinar los efectos del tiempo y la temperatura, en condiciones de almacenamiento, para métodos de falla activados térmicamente y el tiempo hasta la falla de dispositivos electrónicos de estado sólido, incluidos los dispositivos de memoria no volátiles (mecanismos de falla de retención de datos). Esta prueba se considera no destructiva pero se debe utilizar preferentemente para la calificación del dispositivo. Si se utilizan dichos dispositivos para el parto, será necesario evaluar los efectos de esta prueba de estrés altamente acelerada. Los mecanismos de falla activados térmicamente se modelan utilizando la ecuación de Arrhenius para la aceleración, y en la norma IEC 60749-43 se puede encontrar orientación sobre la selección de temperaturas y duraciones de prueba. Esta edición incluye los siguientes cambios técnicos significativos con respecto a la edición anterior: a) condiciones de prueba adicionales; b) aclaración de la aplicabilidad de las condiciones de prueba.
EN 60749-6:2017 Historia
2017EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
2002EN 60749-6:2002 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura