MIL MIL-PRF-19500/633D-2013
Dispositivo semiconductor, transistores endurecidos por radiación de efecto de campo, silicio de canal P, tipos 2N7403 y 2N7404, JANSD y JANSR

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/633D-2013
Fecha de publicación
2013
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/633E-2019
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/633E-2019
 
Alcance
Esta especificación cubre los requisitos de rendimiento para un transistor de potencia de canal P, modo de mejora, MOSFET, endurecido por radiación (dosis total y caracterización de evento único). Se proporciona un nivel de garantía de producto para cada tipo de dispositivo como se especifica en MIL-PRF-19500.

MIL MIL-PRF-19500/633D-2013 Historia

  • 2019 MIL MIL-PRF-19500/633E-2019 Dispositivo semiconductor, transistores endurecidos por radiación de efecto de campo, silicio de canal P, tipos 2N7403 y 2N7404, JANSD y JANSR
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/633D-2013 Dispositivo semiconductor, transistores endurecidos por radiación de efecto de campo, silicio de canal P, tipos 2N7403 y 2N7404, JANSD y JANSR
  • 2008 MIL MIL-PRF-19500/633C-2008 Dispositivo semiconductor, transistores endurecidos por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P, tipos 2N7403 y 2N7404, JANSD y JANSR
  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/633B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS DE SILICIO DE CANAL P 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/633A)
  • 1998 MIL MIL-PRF-19500/633A-1998 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS DE SILICIO DE CANAL P 2N7403 Y 2N7404 JANSD Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/633) (S/S POR MIL-PRF-19500/ 633B)
  • 1996 MIL MIL-PRF-19500/633-1996 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS DE SILICIO DE CANAL P 2N7403 Y 2N7404, JANTXD, -R, JANTXVD, -R Y JANSD, -R (S/S POR MIL-PRF -19500/633A)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/633E-2019 semiconductor, transistores endurecidos por radiación de efecto de campo, silicio de canal P, tipos 2N7403 y 2N7404, JANSD y JANSR DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR MIL MIL-PRF-19500/741A-2009 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/296F-2012 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2609, JAN y UB MIL MIL-PRF-19500/295F-2012 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2608, JAN y UB MIL MIL-PRF-19500/476F-2013 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV MIL MIL-PRF-19500/476E-2012 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV MIL MIL-PRF-19500/741B-2018 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/476G-2018 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N5114 a 2N5116 y 2N5114UB a 2N5116UB, JAN, JANTX y JANTXV


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