IEC 60747-9:2019
Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

Estándar No.

IEC 60747-9:2019

Fecha de publicación

2019

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 60747-9:2019

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Alcance

La norma IEC 60747-9 especifica un estándar de producto específico para transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), que abarca la terminología, los símbolos de letras, las características y valores nominales clave, la verificación de los valores nominales y los métodos de medición.

IEC 60747-9:2019 Documento de referencia

• IEC 60747-1:2006 Dispositivos semiconductores - Parte 1: General
• IEC 60747-1:2006/AMD1:2010 Dispositivos semiconductores - Parte 1: General
• IEC 61340 Electrostática - Parte 6-2: Control electrostático en instalaciones sanitarias, comerciales y públicas - Espacios públicos y áreas de oficinas*， 2023-10-01 Actualizar

IEC 60747-9:2019 Historia

• 2019 IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2007 IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2001 IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2001 IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 Enmienda 1 - Dispositivos semiconductores - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 1998 IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

estándares y especificaciones