IEC 60747-9:1998
Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

Estándar No.

IEC 60747-9:1998

Fecha de publicación

1998

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Estado

 2007-09

Remplazado por

IEC 60747-9:2001

Ultima versión

IEC 60747-9:2019

Reemplazar

IEC 47E/109/FDIS:1998

IEC 60747-9:1998 Historia

• 2019 IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2007 IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1
• 2001 IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 1998 IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)