IEC 60747-9/AMD1:2001
Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1

Estándar No.

IEC 60747-9/AMD1:2001

Fecha de publicación

2001

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Estado

 2007-09

Remplazado por

IEC 60747-9:2007

Ultima versión

IEC 60747-9:2019

Reemplazar

IEC 47E/194/FDIS:2001

Alcance

Esta norma es Dispositivos semiconductores - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1.

IEC 60747-9/AMD1:2001 Historia

• 2019 IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2007 IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1
• 2001 IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
• 1998 IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

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