CSN 35 8803-1983
Transistores de efecto de campo. Parámetro eléctrico. Métodos de medición

Estándar No.
CSN 35 8803-1983
Fecha de publicación
1983
Organización
CZ-CSN
Estado
Ultima versión
CSN 35 8803-1983
 
Alcance
La aprobación de ST SEV 3413-81 fue recomendada por el Ministerio Federal de Industria Electrotécnica. Procesador: TESLA Pie??any, kp, Ing. Jozef Walla Centro de normalización sindical: TESLA Ro?nov, kp, Ing. Dagmar Balá?ová Trabajadora de la Oficina de Normalización y Medición -. En g. J. Pibek

CSN 35 8803-1983 Historia

  • 1983 CSN 35 8803-1983 Transistores de efecto de campo. Parámetro eléctrico. Métodos de medición

estándares y especificaciones

STAS 12124/4-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO DE CAMPO Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos STAS 12124/3-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO D FIFL Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos STAS 12389-1985 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Valores límite y nomenclatura de parámetros eléctricos básicos SJ 20789-2000 Métodos de prueba de detección rápida para el parámetro termosensible del transistor de efecto de campo MOS CNS 5544-1988 Métodos de prueba ambiental y métodos de prueba de resistencia para dispositivos semiconductores discretos (prueba de funcionamiento intermitente del transistor SJ 20232-1993 Reglamento de verificación del probador FET Gp de doble puerta KDK JIS C 7030:1993 Métodos de medición para transistores IS 4400 Pt.10-1983 MÉTODOS DE MEDIDAS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 10 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO GOST 20398.0-1983 Transistores de efecto de campo. Requisitos generales para medir parámetros eléctricos


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