BS EN 60749-36:2003
Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Aceleración, estado estacionario

Estándar No.
BS EN 60749-36:2003
Fecha de publicación
2003
Organización
British Standards Institution (BSI)
Ultima versión
BS EN 60749-36:2003
Reemplazar
01/208601 DC-2001 BS EN 60749:1999
Alcance
Esta parte de IEC 60749 proporciona una prueba para determinar los efectos de la aceleración constante en dispositivos semiconductores de tipo cavidad. Es una prueba acelerada diseñada para indicar tipos de debilidades estructurales y mecánicas que no necesariamente se detectan en pruebas de impacto y vibración. Puede usarse como una prueba de alto estrés (destructiva) para determinar los límites mecánicos del paquete, la metalización interna y el sistema de cables, la unión del troquel o sustrato y otros elementos del dispositivo microelectrónico. Cuando se hayan establecido los niveles de tensión adecuados, este método de prueba también se puede emplear como una pantalla no destructiva en línea al 100 % para detectar y eliminar dispositivos con resistencias mecánicas inferiores a las normales en cualquiera de los elementos estructurales. En general, este método de prueba de aceleración en estado estacionario cumple con la norma IEC 60068-2-7 pero, debido a requisitos específicos de los semiconductores, se aplican las cláusulas de esta norma.

BS EN 60749-36:2003 Historia

  • 2003 BS EN 60749-36:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Aceleración, estado estacionario



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