BS EN 60749-17:2003
Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Irradiación de neutrones

Estándar No.
BS EN 60749-17:2003
Fecha de publicación
2003
Organización
British Standards Institution (BSI)
Ultima versión
BS EN 60749-17:2003
Reemplazar
00/203283 DC-2000 BS EN 60749:1999
Alcance
La prueba de irradiación de neutrones se realiza para determinar la susceptibilidad de los dispositivos semiconductores a la degradación en el entorno de neutrones. Las pruebas aquí descritas son aplicables a circuitos integrados y dispositivos semiconductores discretos. Esta prueba está destinada a aplicaciones militares y espaciales. Es una prueba destructiva. Los objetivos de la prueba son los siguientes: a) detectar y medir la degradación de los parámetros críticos del dispositivo semiconductor en función de la fluencia de neutrones, y b) determinar si los parámetros específicos del dispositivo semiconductor están dentro de los límites especificados después de la exposición a un nivel específico de fluencia de neutrones (ver Cláusula 4).

BS EN 60749-17:2003 Historia

  • 2003 BS EN 60749-17:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Irradiación de neutrones



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