1.1 Esta guía proporciona ilustraciones de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados. Los transistores de baja potencia (a través de la configuración de caja TO-11), diodos, rectificadores de baja potencia, dispositivos de potencia y circuitos integrados se ilustran con características de ensamblaje comunes. Se presentan áreas particulares de construcción para estos dispositivos que detallan puntos críticos de diseño o ensamblaje. 1.2 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hubiera, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM E431-96(2002) Historia
2022ASTM E431-96(2022) Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados
1996ASTM E431-96(2016) Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados
1996ASTM E431-96(2011) Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados
1996ASTM E431-96(2007) Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados
1996ASTM E431-96(2002) Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados
1996ASTM E431-96 Guía estándar para la interpretación de radiografías de semiconductores y dispositivos relacionados