ASTM F1726-97 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de obleas de silicio normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Esta guía cubre la determinación de la densidad de defectos cristalográficos en obleas de silicio epitaxial y pulidas sin patrón. Las obleas de silicio epitaxiales pueden presentar dislocaciones, montículos, picaduras poco profundas o fallas de apilamiento epitaxial, mientras que las obleas pulidas pueden presentar varias formas de defectos cristalográficos o daños en la superficie. El uso de esta práctica se basa en la aplicación de varios estándares de referencia en una secuencia prescrita para revelar y contar defectos o estructuras microscópicas. 1.2 Los materiales a los que se aplica esta práctica pueden definirse según las limitaciones de los documentos a los que se hace referencia. 1.2.1 Esta práctica es adecuada para su uso con obleas epitaxiales o pulidas cultivadas en dirección (111) o (100) y dopadas de tipo p o n con resistividad superior a 0,0005 Omega-cm. 1.2.2 Esta práctica es adecuada para su uso con obleas epitaxiales con un espesor de capa superior a 0,5 181 m. 1.3 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F1726-97 Documento de referencia

ASTM D5127 Guía estándar para agua ultrapura utilizada en la industria electrónica y de semiconductores*， 1999-11-09 Actualizar
ASTM F1241
ASTM F1809 Guía estándar para la selección y uso de soluciones de grabado para delimitar defectos estructurales en silicio
ASTM F1810
ASTM F523 Práctica estándar para la inspección visual sin ayuda de superficies de obleas de silicio pulidas
ASTM F95

1970 ASTM F1726-02
1997 ASTM F1726-97 Guía estándar para el análisis de la perfección cristalográfica de obleas de silicio