ASTM F980-10 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
Los circuitos electrónicos utilizados en muchos sistemas de energía espacial, militar y nuclear pueden estar expuestos a diversos niveles y perfiles temporales de radiación de neutrones. Es esencial para el diseño y fabricación de dichos circuitos que se disponga de métodos de prueba que puedan determinar la vulnerabilidad o dureza (medida de no vulnerabilidad) de los componentes que se utilizarán en ellos. A menudo es necesario determinar la dureza tanto a corto plazo (≈100 &μs) como a largo plazo (daños permanentes) después de la exposición. Consulte la práctica E722.1.1. Esta guía define los requisitos y procedimientos para probar dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados de silicio para detectar efectos de recocido rápido debido a daños por desplazamiento resultantes de la radiación de neutrones. Esta prueba producirá degradación de las propiedades eléctricas de los dispositivos irradiados y debe considerarse una prueba destructiva. El recocido rápido del daño por desplazamiento generalmente se asocia con tecnologías bipolares. 1.1.1 También se pueden utilizar haces de iones pesados para caracterizar el recocido y el daño por desplazamiento (1), pero los haces de iones tienen complicaciones importantes en la interpretación del comportamiento resultante del dispositivo debido a la dosis ionizante asociada. El uso de haces de iones pulsados como fuente de daño por desplazamiento no está dentro del alcance de esta norma. 1.2 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse estándar. No se incluyen otras unidades de medida en esta norma. 1.3 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma consultar y establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F980-10 Historia
2016ASTM F980-16 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
2010ASTM F980-10e1 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
2010ASTM F980-10 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
1992ASTM F980-92 Guía para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio