General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 30453-2013
Alcance
Esta norma proporciona la terminología y mapas de características morfológicas de varios defectos nativos y defectos inducidos estrechamente relacionados de materiales de silicio como el silicio policristalino, el silicio monocristalino, la oblea de silicio y la oblea epitaxial de silicio. Se analizan las causas y métodos de eliminación. Esta norma es aplicable a la inspección de diversos defectos en la investigación de producción de silicio policristalino, silicio monocristalino, oblea de silicio y oblea epitaxial de silicio. La investigación sobre la producción de dispositivos de silicio y circuitos integrados también puede referirse a esta norma.
GB/T 30453-2013 Documento de referencia
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
GB/T 4058 Método de prueba para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas.
GB/T 30453-2013 Historia
2013GB/T 30453-2013 Colección de metalógrafos para defectos originales del silicio cristalino.