SJ/T 11470-2014
Obleas epitaxiales de diodos emisores de luz. (Versión en inglés)

Estándar No.
SJ/T 11470-2014
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2014
Organización
Professional Standard - Electron
Ultima versión
SJ/T 11470-2014
Alcance
Esta norma especifica los requisitos, métodos de prueba, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte y almacenamiento de obleas epitaxiales de diodos emisores de luz visibles (en adelante, obleas epitaxiales). Esta norma se aplica a las series de galio, arsénico y fósforo, galio, aluminio y arsénico, aluminio, galio, indio y fósforo y obleas epitaxiales de aluminio, galio, indio y nitruro.

SJ/T 11470-2014 Documento de referencia

  • GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 2828.1-2003 Procedimientos de muestreo para inspección por atributos. Parte 1: Esquemas de muestreo indexados por límite de calidad de aceptación (AQL) para inspección lote por lote.
  • SJ/T 11395-2009 Terminología de iluminación semiconductora
  • SJ/T 11396-2009 Los sustratos de zafiro para diodos emisores de luz a base de nitruro.
  • SJ/T 11471-2014 Métodos de medición para obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.

SJ/T 11470-2014 Historia




© 2023 Reservados todos los derechos.