GB/T 14142-1993
Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 14142-1993
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1993
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2018-04
- Remplazado por
- GB/T 14142-2017
- Ultima versión
- GB/T 14142-2017
- Alcance
- Esta norma especifica los métodos para visualizar mediante grabado químico e inspeccionar los defectos cristalinos de la capa epitaxial de silicio mediante un microscopio metalográfico. Esta norma es aplicable a la medición de fallas de apilamiento y densidad de dislocaciones en la capa epitaxial de silicio. El espesor de la capa epitaxial de silicio debe ser superior a 2 μm. El rango de medición es 010000cm2.
GB/T 14142-1993 Historia
- 2017 GB/T 14142-2017 Método de prueba para la perfección cristalográfica de capas epitaxiales en silicio: técnica de grabado
- 1993 GB/T 14142-1993 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difusas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas
